Меженный, Михаил Валерьевич

Список докладов

1. Меженный М.В.^*, Филатов М.Ю.^**, Роговский Е.С.^*, Кобелева С.П.^***, Щемеров И.В.^***, Соловьева Ю.С.^***
   Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
   ^*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
   ^**ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
   ^***НИТУ "МИСиС"
   
2. Меженный М.В.^*, Падалица А.А.^**, Мармалюк А.А.^**, Акчурин Р.Х.^***, Абдуллаев О.Р.^****, Роговский Е.С.^*, Курешов В.А.^*****, Сабитов Д.Р.^*****, Мазалов А.В.^*****
   Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
   ^*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
   ^**ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия
   ^***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
   ^****ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
   ^*****ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия