Курешов, Владимир А
ОАО "НИИ "Полюс"
Россия, Москва
Доклад
- Меженный М.В.*, Падалица А.А.**, Мармалюк А.А.**, Акчурин Р.Х.***, Абдуллаев О.Р.****, Роговский Е.С.*, Курешов В.А.*****, Сабитов Д.Р.*****, Мазалов А.В.*****
Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
**ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия
***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
****ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
*****ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия