Меженный М.В. Падалица А.А. Мармалюк А.А. Акчурин Р.Х. Абдуллаев О.Р. Роговский Е.С. Курешов В.А. Сабитов Д.Р. Мазалов А.В.
Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
Докладчик: Меженный М.В.
| Файл тезисов: | Abstrakt_GaN-Si.doc |
К списку докладов