Логин:
Пароль:
Вход

  • Общая информация
  • Организаторы
  • Организационный комитет
  • Важные даты
  • Место проведения
  • Контактная информация
  • Представление материалов
  • Научные направления
  • Регистрационный взнос
  • Рамочная программа
  • Участники
  • Доклады
  • Регистрация/Вход

Меженный М.В.   Филатов М.Ю.   Роговский Е.С.   Кобелева С.П.   Щемеров И.В.   Соловьева Ю.С.  

Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов

Докладчик: Меженный М.В.

Файл тезисов: Abstrakt_PIN.doc


К списку докладов

Комментарии

Имя:
Код подтверждения:

© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск