Курешов, Владимир А

Доклад

• Меженный М.В.^*, Падалица А.А.^**, Мармалюк А.А.^**, Акчурин Р.Х.^***, Абдуллаев О.Р.^****, Роговский Е.С.^*, Курешов В.А.^*****, Сабитов Д.Р.^*****, Мазалов А.В.^*****
  Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
  ^*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
  ^**ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия
  ^***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
  ^****ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
  ^*****ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия