Login:
Password:
Login

  • General information
  • Organizers
  • Organizing committee
  • Important dates
  • Venue
  • Contacts
  • Abstract submission
  • Topics
  • Registration fee
  • Participants
  • Reports
  • Registration/Login

Роговский, Евгений Станиславович


ОАО "Оптрон"
Russia, Moscow

Report

  • Mezhennyi M.V.*, Filatov M.Y.**, Роговский Е.С.*, Kobeleva S.P.***, Щемеров И.В.***, Соловьева Ю.С.***
    Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
    *ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    **ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    ***НИТУ "МИСиС"

To participants list
© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск