Login:
Password:
Login

  • General information
  • Organizers
  • Organizing committee
  • Important dates
  • Venue
  • Contacts
  • Abstract submission
  • Topics
  • Registration fee
  • Participants
  • Reports
  • Registration/Login

Mezhennyi M.V.   Filatov M.Y.   Роговский Е.С.   Kobeleva S.P.   Щемеров И.В.   Соловьева Ю.С.  

Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов

Reporter: Mezhennyi M.V.

Abstracts file: Abstrakt_PIN.doc


To reports list

Comments

Name:
Captcha:

© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск