Павский, Кирилл Валерьевич

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Россия, Новосибирск

Доклад

• Ревун А.Л.^*, Рудин С.А.^*, Павский К.В.^*
  Оптимизация алгоритмов расчёта деформации при атомистическом моделировании гетэроэпитаксиального роста Ge на Si(100) методом Монте-Карло
  ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  

К списку участников