Логин:
Пароль:
Вход

  • Общая информация
  • Организаторы
  • Организационный комитет
  • Важные даты
  • Место проведения
  • Контактная информация
  • Представление материалов
  • Научные направления
  • Регистрационный взнос
  • Рамочная программа
  • Участники
  • Доклады
  • Регистрация/Вход

нагаёси х.   Diplas S.   Walmsley J.C.   Graff J.S.   Chirvony V.   Juan P.   Ulyashin A.  

Ultra Fine Silicon Nanowire Growth Using Hydrogen Radical Etching Reaction

Докладчик: нагаёси х.

Файл тезисов: Abstrakt Nagayoshi H.zip


К списку докладов

Комментарии

Имя:
Код подтверждения:

© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск