Login:
Password:
Login

  • General information
  • Organizers
  • Organizing committee
  • Important dates
  • Venue
  • Contacts
  • Abstract submission
  • Topics
  • Registration fee
  • Participants
  • Reports
  • Registration/Login

Olimov, Lutfiddin Omanovich


Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан
Uzbekistan, Tashkent

Report

  • Olimov L.O.*, Kurbonov M.**, Abdurakhmanov B.**
    Effect of switching of current direction and of voltage under heating of polycrystalline silicon structures doped by deep impurities
    *Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan
    **Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Tashkent), Uzbekistan

To participants list
© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск