Popov, Vladimir Pavlovich

A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Reports list

1. Malyarenko N.F.^*, Naumova O.V.^*, Fomin B.I.^*, Popov V.P.^*
   Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   
2. Kulubaeva E.G.^*, Naumova O.V.^*, Fomin B.I.^*, Popov V.P.^*
   Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   

To participants list