Login:
Password:
Login

  • General information
  • Organizers
  • Organizing committee
  • Important dates
  • Venue
  • Contacts
  • Abstract submission
  • Topics
  • Registration fee
  • Participants
  • Reports
  • Registration/Login

Абдуллаев, Олег Р


ОАО "Оптрон"
Russia, Moscow

Report

  • Mezhennyi M.V.*, Падалица А.А.**, Мармалюк А.А.**, Акчурин Р.Х.***, Абдуллаев О.Р.****, Роговский Е.С.*, Курешов В.А.*****, Сабитов Д.Р.*****, Мазалов А.В.*****
    Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
    *ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    **ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia
    ***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
    ****ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
    *****ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia

To participants list
© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск