Труханов, Евгений Михайлович

A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Reports list

1. Kolesnikov A.^*, Труханов Е.М.^*, Loshkarev I.^*, Ильин А.С.^*
   Tilt boundaries formation in vicinal (001) heterosystem GeSi/Si and GaAs/Si.
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   
2. Фрицлер К.Б.^*, Труханов Е.М.^*, Калинин В.В.^*
   Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   

To participants list