Back

Труханов, Евгений Михайлович


A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Reports list

  1. Kolesnikov A.*, Труханов Е.М.*, Loshkarev I.*, Ильин А.С.*
    Tilt boundaries formation in vicinal (001) heterosystem GeSi/Si and GaAs/Si.
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  2. Фрицлер К.Б.*, Труханов Е.М.*, Калинин В.В.*
    Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia

To participants list