Pchelyakov, Oleg

A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Report

• Фрицлер К.Б.^*, Чистохин И.Б.^*, Fomin B.I.^*, Калинин В.В.^*, Pchelyakov O.^*
  Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
  ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  

To participants list