Гисматулин А.А. Камаев Г.Н.
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
Докладчик: Камаев Г.Н.
| Файл тезисов: | Kamaev_Si2014_bond.doc |
К списку докладов
- Общая информация
- Организаторы
- Организационный комитет
- Важные даты
- Место проведения
- Контактная информация
- Представление материалов
- Научные направления
- Регистрационный взнос
- Рамочная программа
- Участники
- Доклады
- Регистрация/Вход
К списку докладов