Логин:
Пароль:
Вход
Общая информация
Организаторы
Организационный комитет
Важные даты
Место проведения
Контактная информация
Представление материалов
Научные направления
Регистрационный взнос
Рамочная программа
Участники
Доклады
Регистрация/Вход
Гисматулин А.А.
Камаев Г.Н.
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
Докладчик:
Камаев Г.Н.
Файл тезисов:
Kamaev_Si2014_bond.doc
К списку докладов
Комментарии
Имя:
Код подтверждения: