Назад

Поклонский Н.А.   Ластовский С.Б.   Престинг Х.   Соболев Н.А.   Сягло А.И.  

Влияние облучения электронами на p-n переходы в сверхрешетках Si-Ge

Докладчик: Соболев Н.А.

Файл тезисов: Sobolev_Abstract.doc


К списку докладов

Комментарии

Имя:
Код подтверждения: