Конференция «Кремний-2014»

Pavlov S.G.^*, Abrosimov N.V.^**, Deßmann N.^***, Böttger U.^*, Redlich B.^****, van der Meer A.^****, Zhukavin R.Kh.^*****, Shastin V.N.^*****, Irmscher K.^**, Riemann H.^**
Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth
^*Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (Берлин), Германия
^**Leibniz Institute of Crystal Growth (Берлин), Германия
^***Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Берлин), Германия
^****FELIX Facility, Radboud University (Nijmegen), Голландия
^*****Institute for Physics of Semiconductors (N.Novgorod), Россия
Yu Y.^*, Семенова О.И.^**
Strained Silicon in Electronics and Photonics
^*Institute of Semiconductors CAS (Пекин), Китай
^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Ёлкин К.С.^*, Дошлов О.И.^**, Зельберг Б.И.^***, Яковлев С.П.^****, Балакирев С.В.^****, Кондратьев В.В.^*****
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
^*ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Красноярск), Россия
^**Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
^***ООО «Спецстройинвест» (Иркутск), Россия
^****ООО «Карборундум Технолоджис» (Санкт-Петербург), Россия
^*****НИУ Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Ёлкин К.С.^*, Яковлев С.П.^**, Ёлкин Д.К.^***, Молявко А.А.^***
ОБ ЭФФЕКТИВНЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ ПЕРЕДЕЛА ТЕХНИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
^*ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Красноярск), Россия
^**ООО «Карборундум Технолоджис» (Санкт-Петербург), Россия
^***ЗАО «Кремний» (Шелехов), Россия
Абдурахманов Б.М.^*, Ашуров Х.Б.^**, Адилов М.М.^*, Курбонов М.Ш.^*
Применение технического кремния для создания тепловольтаических преобразователей
^*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
^**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан
Абдурахманов Б.М.^*, Ашуров Х.Б.^**, Адилов М.М.^*, Кучканов Ш.К.^***, Максимов С.Е.^*, Оксенгендлер Б.Л.^***
Роль резонансного туннелирования в усилении термоэлектрических свойств гранулированного кремния
^*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
^**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан
^***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
Абдурахманов Б.М.^*, Ашуров Х.Б.^**, Кучканов Ш.К.^***, Максимов С.Е.^*, Ниматов С.Ж.^***
Тепловольтаические преобразователи энергии на основе кремниевых p-n структур, а также плёнок твёрдых растворов Si-Ge-Ti на кремнии
^*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
^**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан
^***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
Абросимов Н.В.^*
Моноизотопный монокристаллический кремний: получение и перспективы применения
^*Leibniz Instutute for Crystal growth (Берлин), Германия
Аждаров Г.Х.^*, Агамалиев З.А.^*, Захрабекова З.М.^*, Кязимова В.К.^*
Сложнолегированные кристаллы Ge<Ga,Sb,Ni>
^*Институт Физики НАН Азербайджана (Баку), Азербайджан
Акимов В.В.^*, Пещерова С.М.^**
Формы нахождения легирующих элементов в кремнии (анализ эффектов концентрирования микропримесей структурными дефектами)
^*ИХГ СО РАН (Иркутск), Россия
^**Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия
Алимов Н.Э.^*, Абдурасулова С.О.^**, Имомова С.М.^**, Отажонов С.М.^**, Якубова Ш.К.^**
Фотоприёмник в широком диапазоне длин волн света на основе CdTe-SiO2-Si-Al с глубокими примесными уровнями
^*Ферганский государственный университет (fergana), Узбекистан
^**Ферганский государственный университет (fergana), Узбекистан
Арзуманян Г.В.^*, Колпачёв А.Б.^**
Энергетические состояния в запрещенной зоне кристаллического кремния, обусловленные атомами замещения титана и углерода
^*Южный Федеральный Университет (Ростов на Дону), Россия
^**Таганрогский технологический институт Южного Федерального университета (Ростов-На-Дону), Россия
Аскаров Ш.И.^*, Шукурова Д.^*
Высокочувствительные фотоприемники на базе кремния, содержащие наноразмерные многозарядные примесные кластеры марганца
^*Ташкентский Государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан
Астров Ю.А.^*, Шуман В.Б.^*, Лодыгин А.Н.^*, Порцель Л.М.^*, Шастин В.Н.^**, Павлов С.Г.^***, Deßmann N.^****, Abrosimov N.V.^*****, Козлов В.А.^******, Hübers H.W.^***
Легирование кремния донорными центрами магния
^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
^***Institute of Planetary Research, German Aerospace Center; Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Берлин), Германия
^****Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Берлин), Германия
^*****Leibniz Institute of Crystal Growth (Берлин), Германия
^******НПО ФИД-Техника (Санкт-Петербург), Россия
Атакулов Ш.Б.^*, Абдуллаева Г.Б.^*, Исроилова У.А.^*, Атакулов Б.А.^*
Полупроводниковые кремниевые диоды с отрицательным сопротивлением компенсированное золотой
^*Ферганский государственный университет (fergana), Узбекистан
Байдакова Н.А.^*, Новиков А.В.^**, Шалеев М.В.^***, Юрасов Д.В.^***
Оптические свойства Ge(Si) наноостровков, заключенных между напряженными слоями Si, сформированных на подложках sSOI и релаксированных SiGe буферах
^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Баранов Г.В.^*, Итальянцев А.Г.^**, Орлов О.М.^***, Песков Ш.Г.^****
Особенности радиационно-стимулированной диффузии As в структуре SiO2/Si
^*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
^**ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Москва), Россия
^***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Россия
^****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Москва), Россия
Баталина А.В.^*, Метлов В.А.^**, Романов А.А.^**, Чумак В.Д.^***
Практическое применение метода фото-ЭДС для оценки качества КНС-структур
^*Зеленоград (Москва), Россия
^**ОАО "Ангстрем" (Зеленоград), Россия
^***ЗАО "Эпиэл" (Зеленоград), Россия
Баталов Р.И.^*
Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства
^*Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия
Безродный Д.^*, Филимонов С.Н.^*, Эрвье Ю.Ю.^*
Переход от послойного к многоуровневому росту грани 3D-островка: компьютерное моделирование
^*Томский государственный университет (Томск), Россия
Бердников В.С.^*, Антонов П.В.^*
Сопряженный конвективный теплообмен в методе Бриджмена в режимах равномерного и реверсивного вращения тигля
^*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
Бердников В.С.^*, Винокуров В.А.^*, Винокуров В.В.^*, Марков В.А.^*
Нестационарные режимы свободной и смешанной конвекции в методе Чохральского
^*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
Бердников В.С.^*, Григорьева А.М.^*, Митин К.А.^*, Клещенок М.С.^*
Поля температуры в кристаллах различной теплопроводности и размеров в методе Чохральского при теплоотдаче с их поверхности в режимах свободной конвекции
^*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
Бердников В.С.^*, Клещенок М.С.^**, Митин К.А.^**
Влияние геометрии на поля температуры в кристаллах кремния в режимах радиационно-конвективной тплоотдачи
^*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
^**Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе (Новосибирск), Россия
Бердников В.С.^*, Митин К.А.^*
Исследования относительной роли механизмов теплоотдачи на поля температуры в кристаллах в методе Чохральского
^*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
Бердников В.С.^*, Митин К.А.^*, Митина А.^*
Поле температуры в U-образном кремниевом стрежне, разогреваемом электрическим током, в режиме конвективной теплоотдачи
^*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
Божко С.И.^*
Электронный рост наноостровков Pb на поверхности Si(7 7 10)
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
Божко С.И.^*, Ионов А.М.^*
Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
Бондаренко А.С.^*, Вывенко О.Ф.^*, Конончук О.В.^**
Люминесценция дислокационных сеток в сращенных пластинах кремния, стимулированная электрическим заполнением уровней ловушек носителей заряда
^*НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
^**SOITEC (Гренобль), Франция
Борисов В.К.^*, Стребков Д.С.^**
Солнечные кремниевые модули на базе матричных солнечных элементов
^*Всероссийский институт электрификации сельского хозяйства (Москва), Россия
^**ГНУ ВИЭСХ (Москва), Россия
Брылевский В.И.^*, Грехов И.В.^*, Брунков П.Н.^*, Родин П.Б.^**, Смирнова И.А.^**
Влияние метода выращивания кремния и типа p-n перехода на характеристики лавинного переключения высоковольтных кремниевых диодов
^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (Санкт-Петербург), Россия
^**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Вдовин В.И.^*, Федина Л.И.^*, Гутаковский А.К.^**, Шек Е.И.^***, Соболев Н.А.^****
Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
^***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
^****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Велиханов А.Р.^*
Пластичность монокристаллов кремния в условиях совместного воздействия теплового поля и электрического тока
^*ФГБУН Институт физики ДагНЦ РАН им. Амирханова (Махачкала), Россия
Верезуб Н.А.^*, Волошин А.Э.^**, Простомолотов А.И.^***
Анализ применимости аналитических моделей для расчета эффективного коэффициента распределения примеси
^*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия
^** Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Щубникова Российской академии наук (Москва), Россия
^***Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия
Верезуб Н.А.^*, Простомолотов А.И.^**
Способ снижения напряжений в большегрузных монокристаллах кремния при выращивании методом Чохральского
^*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия
^**Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия
Викулов В.А.^*, Коробцов В.В.^*, Балашев В.В.^*, Писаренко Т.А.^*, Димитриев А.А.^*
Особенности электрического транспорта в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/Si с разным типом проводимости подложки
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
Владимиров В.М.^*, Марков В.В.^**, Шепов В.Н.^*
«Рометр» и «Тауметр-2М» - автоматизированные измерители удельного сопротивления и времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
^*Научно-производственная фирма "Электрон" (Красноярск), Россия
^**Красноярский научный центр СО РАН (Красноярск), Россия
Галкин К.Н.^*, Галкин Н.Г.^*, Ховайло В.В.^**, Усенко А.^**, Воронин А.^**
Формирование и свойства объемных кремниевых структур с внедренными кристаллитами дисилицидов Fe и Cr
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**НИТУ "МИСиС"
Галкин К.Н.^*, Чернев И.М.^*, Шевлягин А.В.^*, Галкин Н.Г.^*
Формирование, оптические и электрические свойства полупроводниковых пленок станнида магния на Si(111)
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
Галкин Н.Г.^*, Безбабный Д.А.^*, Чернев И.М.^*, Nemes-Incze P.^**, Dosza L.^**, Pecz B.^**, Гутаковский А.К.^***, Kudrawiec R.^****
Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Венгрия
^***Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
^****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Польша
Галкин Н.Г.^*, Чернев И.М.^*, Шевлягин А.В.^*, Гутаковский А.К.^**
Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
Герасименко Н.Н.^*, Смирнов Д.И.^**, Запорожан О.^***
Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах
^*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
^**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
^***Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Москва), Россия
Гисматулин А.А.^*, Камаев Г.Н.^*
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Голубовская Н.О.^*, Шиманский А.Ф.^*
Исследование поведения кислорода в кристаллах германия при отжиге
^*Сибирский федеральный университет (Красноярск), Россия
Гоник М.А.^*
Направленная кристаллизация мультикристаллического кремния в условиях пониженного газообмена
^*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Россия
Гоник М.А.^*, Кролль А.^**, Вагнер А.^***
Распределение Ge в слитке сплава Si0.9Ge0.1при выращивании из тонкого слоя расплава
^*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Россия
^**Institute for Geosciences of University of Freiburg (Фрайбург), Германия
^***Institute for Inorganic and Analytical Chemistry (Фрайбург), Германия
Горошко Д.Л.^*, Галкин К.Н.^*, Dosza L.^**, Галкин Н.Г.^*
Формирование и термоэлектрические свойства кремниевых нанокомпозитов на основе дисилицида хрома и магния
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Венгрия
Гостева Е.А.^*, Герасименко Н.Н.^**
Исследование антиотражающих характеристик наноструктурированных тонких пористых пленок для использования в солнечных элементах в качестве антибликового покрытия
^*НИТУ "МИСиС"
^**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
Грачев Д.А.^*, Карабанова И.А.^*, Ершов А.В.^*, Пирогов А.В.^*, Павлов Д.А.^*
Нанокристаллы Si и Ge в широкозонных диэлектрических матрицах, полученных высокотемпературным отжигом многослойных нанопериодических структур
^*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
Гуральник А.С.^*, Ваванова С.В.^*, Доценко С.А.^*, Галкин Н.Г.^*, Лин К.^**
Формирование, морфология и магнитные свойства структуры Fe3Si/ε-FeSi/Fe3Si/Si(111)
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**Национальный университет Чунг Шинг (Taichung), Тайвань
Гурьянов А.М.^*
Генерационные процессы в кремниевых МДП-структурах с наноразмерными диэлектрическими слоями оксидов редкоземельных элементов
^*Самарский государственный архитектурно-строительный университет (Самара), Россия
Гусев О.Б.^*, Андреев Б.А.^**, Ершов А.В.^***, Грачев Д.А.^***, Яблонский А.^****
Экспериментальное наблюдение фотолюминесценции автолокализованных экситонов на поверхностных Si-Si димерах нанокристаллов Si в матрице SiO2
^*ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
^***Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^****Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Демидов Ю.А.^*, Чаплыгин Ю.А.^*, Шевяков В.И.^**, Белов А.Н.^**, Голишников А.А.^***
Особенности нанопрофилирования кремния плазменным травлением через твердую маску пористого оксида алюминия
^*МИЭТ (Москва), Россия
^**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва), Россия
^***Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Москва), Россия
Демин В.Н.^*, Ващенко Сергей Петрович С.П.^**
применение электродуговых плазмотронов в новых технологиях получения поликремния
^*Институт неорганической химии СО РАН,Новосибирск (Новосибирск), Россия
^**Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск (Новосибирск), Россия
Денисов С.А.^*, Гавва В.А.^**, Гусев А.В.^**, Дроздов М.Н.^***, Ежевский А.А.^*, Деточенко А.П.^*, Шенгуров В.Г.^*
Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной моле-кулярно-лучевой эпитаксии
^*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^**Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Нижний Новгород), Россия
^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Денисов С.А.^*, Матвеев С.А.^*, Чалков В.Ю.^*, Филатов Д.О.^*, Машин А.И.^*, Круглов А.В.^*, Трушин В.Н.^*, Гусейнов Д.В.^*, Шенгуров В.Г.^*, Иванова М.М.^**
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
^*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^**ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
Димитриев А.А.^*, Балашев В.В.^*, Писаренко Т.А.^*, Викулов В.А.^*, Коробцов В.В.^*
Эффект низкотемпературного переключения канала проводимости в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/n-Si
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
Дмитриевский А.А.^*, Ефремова Н.Ю.^*, Гусева Д.Г.^*, Дружкин А.В.^*, Мартус А.С.^*
Микро- и нанотвердость пористых слоев кремния
^*Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина (Тамбов), Россия
Евдокимов И.И.^*, Пименов В.Г.^*
Анализ высокочистого кремния атомно-эмиссионным и атомно-абсорбционным методами с концентрированием примесей отгонкой матрицы при фторировании пробы в автоклаве
^*ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Нижний Новгород), Россия
Ежевский А.А.^*, Гусейнов Д.В.^*, Сухоруков А.В.^*, Попков С.А.^*, Конаков А.А.^*, Абросимов Н.В.^**, Riemann H.^***
Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния и спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом
^*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^**Leibniz Instutute for Crystal growth (Берлин), Германия
^***Leibniz Institute of Crystal Growth (Берлин), Германия
Елисеев И.А.^*, Непомнящих А.И.^**
Рафинирование металлургического кремния увлажнённым паром в условиях заводского эксперимента
^*Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
^**Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия
Еремеев В.С.^*, Кирилин А.А.^*, Шевченко М.А.^*, Шувалов С.П.^*, Струмеляк А.В.^*, Булатов Ю.Н.^*, Шакиров В.А.^*
Разработка технических решений для повышения эффективности гелиоэлектростанций
^*Братский государственный университет (Братск), Россия
Ермакова Е.Н.^*, Румянцев Ю.М.^*, Косинова М.Л.^*
Оптические и механические свойства пленок SiCxNy, осажденных из триметилфенилсилана
^*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
Жураев Ж.У.^*, Кадыров А.Л.^*
Электрофизические свойства вторичного литого поликристаллического кремния
^*Худжандский государственный университет имени академика Б. Гафурова (Худжанд), Таджикистан
Закиров Р.А.^*, Парфенов О.Г.^*
Восстановление тетрахлорида кремния субхлоридом алюминия
^*Институт химии и химической технологии СО РАН (Красноярск), Россия
Зюльков И.Ю.^*, Гикавый А.Я.^**
Эпитаксиальный рост напряженного SiGe в атмосфере дисилана и дигермана
^*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
^**Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) (Лёвен), Бельгия
Иванова М.М.^*, Киселев В.К.^*, Качемцев А.Н.^*, Лебедева Ю.С.^*, Юрасов Д.В.^**
Проблемы обеспечения радиационной стойкости оптопар на кремнии
^*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Иванова М.М.^*, Киселев В.К.^*, Качемцев А.Н.^*, Филатов Д.О.^**, Гусейнов Д.В.^**, Шенгуров В.Г.^**, Юрасов Д.В.^***
Исследование радиационной стойкости pin-фотодетекторов на базе соединений SiGe
^*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Илиев Х.М.^*, Абдурахманов Б.А.^*, Саитов Э.Б.^*, Мавлонов Г.Х.^*, Мавлянов А.Ш.^*, Содиков У.Х.^**
Физические основы формирования нанокластеров примесных атомов в полупроводниках
^*Ташкентский государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан
^**Ташкентский государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан
Исамов С.Б.^*, Аюпов К.С.^*, Зикриллаев Н.^*, Камалов Х.У.^*, Валиев С.А.^*, Сапарниязова З.М.^*
Время жизни дырок в кремнии с многозарядными кластерами атомов марганца
^*Ташкентский государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан
Камаев Г.Н.^*, Володин В.А.^*, Гисматулин А.А.^*, Ефанов В.С.^*, Черкова С.Г.^*
Оптические свойства многослойных наногетероструктур Si\SiO2
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Карасев П.А.^*, Титов А.И.^*, Карабешкин К.В.^*
Влияние плотности каскадов смещений на эффективность генерации первичных нарушений в кремнии
^*Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет (Санкт-Петербург), Россия
Карпенко А.В.^*
Углеродные материалы для использования в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского
^*Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Украина
Касмамытов Н.К.^*, Макаров В.П.^**, Ласанху К.А.^*, Асанов Б.У.^*
Наноструктурированные материалы, полученные на основе отходов производства монокремния
^*Институт физико-технических проблем и материаловедения (Бишкек), Кыргызстан
^**Кыргызско-Российский Славянский университетй (Бишкек), Кыргызстан
Кведер В.В.^*, Хорошева М.А.^*
О природе дефектов, возникающих в процессе движения дислокаций в кремнии
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
Ким В.А.^*, Требухова Т.А.^*, Кударинов С.Х.^*, Тусупова А.У.^*
Рисовая шелуха - исходное кремнеуглеродное сырье для получения технического кремния
^*Химико-металлургический институт им. Ж. Абишева (Karaganda), Казахстан
Кириенко В.В.^*, Армбристер В.А.^*, Блошкин А.А.^*, Якимов А.И.^*
Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовыхямах SiGe
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Козлов А.^*
Исследование дифференциального выходного сигнала планарного магнитотранзистора методами приборно-технологического моделирования
^*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
Колесников А.В.^*, Труханов Е.М.^*, Лошкарев И.Д.^*, Ильин А.С.^*
Формирование малоугловых границ в гетеросистемах GeSi/Si и GaAs/Si с вицинальными (001) границами раздела
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Конаков А.А.^*, Беляков В.А.^*, Курова Н.В.^*, Сидоренко К.В.^*, Бурдов В.А.^*
Спиновая релаксация электронов проводимости в кремниевых нанокристаллах и их ансамблях
^*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
Косинова М.Л.^*
Новые прекурсоры и процессы MO CVD в технологии наноматериалов. Научная школа академика Ф.А. Кузнецова.
^*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
Косинова М.Л.^*, Ермакова Е.Н.^*, Семенова О.И.^**
Оптические покрытия на основе фаз системы Si-N-C-H
^*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Котерева Т.В.^*, Гавва В.А.^*, Гусев А.В.^*
Диагностика примесного состава высокочистого моносилана по результатам анализа контрольного монокристалла кремния.
^*Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Нижний Новгород), Россия
Коханенко А.П.^*, Войцеховский А.В.^*, Лозовой К.А.^*
Зависимости параметров квантовых точек Ge на Si от соотношения сторон их оснований
^*Томский государственный университет (Томск), Россия
Коюда Д.А.^*, Турищев С.Ю.^**, Терехов В.А.^***, Спирин Д.Е.^*, Паринова Е.В.^****, Нестеров Д.Н.^*, Карабанова И.А.^*****, Ершов А.В.^*****, Машин А.И.^*****, Домашевская Э.П.^******
Характеризация синхротронным методом XANES светоизлучающих многослойных нанопериодических структур, содержащих нанокристаллы Si
^*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^**ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
^***ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^*****Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^******Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
Ксеневич В.К.^*, Адамчук Д.В.^*, Горбачук Н.И.^*, Поклонский Н.А.^*, Вик А.^**
Импеданс поликристаллических пленок диоксида олова, напыленных на Si3N4/Si-подложку
^*Белорусский государственный университет
^**Рурский университет (Бохум), Германия
Кудрявцев К.Е.^*, Крыжков Д.И.^**, Красильникова Л.В.^**, Шенгуров Д.В.^**, Шмагин В.Б.^**, Андреев Б.А.^**, Красильник З.Ф.^**
Оценка сечения усиления ионов Er3+ в волноводных структурах Si:Er/SOI
^*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Кулубаева Э.Г.^*, Наумова О.В.^*, Фомин Б.И.^*, Попов В.П.^*
Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Курбонов М.Ш.^*, Ашуров Х.Б.^**, Абдурахманов Б.М.^*
Особенности технологии получения технического кремния с учетом сырьевой базы Республики Узбекистан
^*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
^**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан
Кутузов Л.В.^*
Структура и термическая стабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов
^*Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт"
Кучинская П.^*, Зиновьев В.^*, Двуреченский А.В.^*, Векшенкова Т.^**, Рудин С.^*
Влияние распределения полей упругих деформаций на пространственную организацию SiGe квантовых точек
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
^**Новосибирский государственный технический университет (Новосибирcк), Россия
Ларюшкин А.С.^*, Филатов М.Ю.^*, Антонов В.А.^*
Разработка серии кремниевых ультрастабильных прецизионных стабилитронов с повышенной временной и температурной стабильностью
^*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
Латухина Н.В.^*, Чепурнов В.И.^*, Давыдов Д.М.^**, Тимошенко В.Ю.^***, Жигунов Д.М.^***
Структура и состав карбидизированных слоев пористого кремния
^*Самарский государственный университет (Самара), Россия
^**Самарский государственный технический университет (Самара), Россия
^***Московский государственный университет (Москва), Россия
Левицкий В.С.^*, Леньшин А.С.^**
Особенности рамановских спектров и фотолюминесценции различных видов пористого кремния для применения в энергосберегающих технологиях
^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
^**ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
Леньшин А.С.^*, Кашкаров В.М.^**, Анисимов А.В.^*, Домашевская Э.П.^**, Бельтюков А.Н.^***, Гильмутдинов Ф.З.^***
Исследование состава поверхности пористого кремния методами рентгеновской фотоэлектронной и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии.
^*ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
^***Физико-технический институт УрО РАН (Ижевск), Россия
Леньшин А.С.^*, Кашкаров В.М.^**, Середин П.В.^**, Налимова С.С.^***, Мошников В.А.^****, Мякин С.В.^*****
Исследование влияния обработки пористого кремния полиакриловой кислотой на его состав поверхности и фотолюминесценцию
^*ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
^***Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург), Россия
^****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина) "ЛЭТИ" (Санкт-Петербург), Россия
^*****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ (Санкт-Петербург), Россия
Леонова М.С.^*
Обработка результатов испытаний по окомкованию шихты методом планирования эксперимента
^*НИ ИрГТУ (Иркутск), Россия
Литвиненко Т.Н.^*
Использование импульсного воздействия высокоинтенсивного потока энергии для дробления кристаллического кремния
^*Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Украина
Лошаченко А.С.^*, Данилов Д.В.^*, Шек Е.И.^**, Вывенко О.Ф.^***, Соболев Н.А.^****
Электрически активные центры в кремнии n-типа, имплантированном ионами кислорода.
^*Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
^**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
^***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
^****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Лысяк Е.А.^*
SiTec - передовой опыт в технологии производства кремния
^*SiTec GmbH (Burghausen), Германия
Магомедов М.Н.^*
Зависимость решеточных свойств от размера и формы нанокристалла кремния
^*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук (Махачкала), Россия
Маляренко Н.Ф.^*, Наумова О.В.^*, Фомин Б.И.^*, Попов В.П.^*
Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Матюшкин И.В.^*, Коробов С.В.^*, Михайлов А.Н.^**, Тетельбаум Д.И.^**
Клеточно-автоматное моделирование процессов вторичного дефектообразования при ионной имплантации
^*ОАО "НИИ молекулярной электроники" (Москва), Россия
^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
Махвиладзе Т.М.^*, Минушев А.^*, Сарычев М.Е.^**
СМР -процесс для медной металлизации в кремниевой нанотранзисторной электронике
^*Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
^**Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
Махвиладзе Т.М.^*, Сарычев М.Е.^**
Деформационно-кинетическая модель процесса коалесценции кислородных преципитатов в кремнии
^*Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
^**Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
Махвиладзе Т.М.^*, Сарычев М.Е.^**
Влияние точечных дефектов на скорость коалесценции кислородсодержащих преципитатов в кремнии
^*Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
^**Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
Меженный М.В.^*, Падалица А.А.^**, Мармалюк А.А.^**, Акчурин Р.Х.^***, Абдуллаев О.Р.^****, Роговский Е.С.^*, Курешов В.А.^*****, Сабитов Д.Р.^*****, Мазалов А.В.^*****
Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
^*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
^**ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия
^***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
^****ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
^*****ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия
Меженный М.В.^*, Филатов М.Ю.^**, Роговский Е.С.^*, Кобелева С.П.^***, Щемеров И.В.^***, Соловьева Ю.С.^***
Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
^*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
^**ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
^***НИТУ "МИСиС"
Миловзоров Д.Е.^*
Влияние фторидов кремния на фотолюминесценцию пленок нанокристаллического кремния (111)
^*РГРУ (Москва), Россия
Мирбабаев М.М.^*, Аскаров Ш.И.^*
Влияние наномолекул селена на эффективность переобразования солнечной энергии в кремниевых элементах с p-n переходом
^*Ташкентский Государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан
Митин Д.^*, Сердобинцев А.^*
Управление скоростью роста пленок аморфного кремния при синтезе методом магнетронного распыления
^*Саратовский государственный университет им.Н.Г.Чернышевского (Саратов), Россия
Нагорных С.Н.^*, Павленков В.И.^**, Михайлов А.Н.^**, Белов А.И.^**, Королев Д.С.^**, Бобров А.И.^**, Павлов Д.А.^**, Тетельбаум Д.И.^**, Шек Е.И.^***
Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
^*Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Нижний Новгород), Россия
^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
^***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
Найда Г.А.^*, Прокофьева В.К.^*
Влияние дефектов структуры кремниевой подложки на формирование эпитаксиального слоя AlN
^*Национальгный исследовательский университет"МИЭТ" (Москва), Россия
Наумов А.В.^*, Аношин К.Е.^**
Выращивание низкодислокационных кристаллов Ge методом Чохральского
^*ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Москва), Россия
^**ОАО Гиредмет (Москва), Россия
Нежданов А.В.^*, Машин А.И.^*, Ершов А.В.^*, Чевелева Е.А.^*
Оптические свойства систем SiOx:SiO2 на поверхности ВОПГ
^*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
Некрасов А.В.^*, Наумов А.В.^**
Рынок поликремния в период до 2018 г.
^*ОАО НПП КВАНТ (Москва), Россия
^**ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Москва), Россия
Немчинова Н.В.^*
формирование интерметаллидов при кристаллизации кремниевого расплава
^*Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Непомнящих А.И.^*, Пресняков Р.В.^*, Антонов П.В.^**, Бердников В.С.^**
Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты
^*Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия
^**Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
Нехамин С.М.^*
Металлургические методы и оборудование для получения и очистки кремния
^*ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Москва), Россия
Никифоров А.И.^*, Тимофеев В.А.^*, Тийс С.А.^*, Пчеляков О.П.^*
Структура поверхности тонких псевдоморфных GeSi слоев
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Никулина Л.Д.^*, Сысоев С.В.^*, Цырендоржиева И.П.^**, Гостевский Б.А.^**, Рахлин В.И.^**, Косинова М.Л.^*, Кузнецов Ф.А.^*
Влияние структурных особенностей кремний- и борорганических соединений на физико-химические свойства прекурсоров для синтеза пленок SiCxNy и SiBxCyNz
^*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
^**Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН (Иркутск), Россия
Новиков В.А.^*
Влияние параметров сканирования на величину шероховатости в сканирующей зондовой микроскопии
^*Томский государственный университет (Томск), Россия
Нусупов К.Х.^*, Бейсенханов Н.Б.^*, Жариков С.К.^*, Бейсембетов И.К.^*, Кенжалиев Б.К.^*, Ахметов Т.К.^*, Сейтов Б.Ж.^*
Формирование тонких пленок SiC на подложках Si методом ионно-лучевого распыления
^*Казахстанско-Британский технический университет (Алматы), Казахстан
Нусупов К.Х.^*, Бейсенханов Н.Б.^*, Жариков С.К.^*, Бейсембетов И.К.^*, Кенжалиев Б.К.^*, Бакранова Д.И.^*, Бакранов Н.Б.^*
Формирование нанопленок алюминия и оксида алюминия методом магнетронного распыления
^*Казахстанско-Британский технический университет (Алматы), Казахстан
Олимов Л.О.^*, Курбонов М.Ш.^**, Абдурахманов Б.М.^**
Эффект переключения направления тока и напряжения при нагреве поликристаллических кремниевых структур, легированных глубокими примесями
^*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
^**Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
Орлов В.И.^*, Феклисова О.В.^**, Якимов Е.Б.^***
Влияние меди на рекомбинационную активность протяжённых дефектов в кремнии
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
^**Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
^***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка), Россия
Орлов В.И.^*, Феклисова О.В.^**, Якимов Е.Б.^***
Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном крем-нии методами EBIC и LBIC
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
^**Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
^***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка), Россия
Орлов О.М.^*
исследование конструктивно-технологических особенностей элементов встроенной энергонезависимой памяти, основанной на хранении заряда
^*НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Россия
Орлов С.Н.^*, Тимошенков С.П.^**, Виноградов А.И.^**, Хомяков И.А.^***, Пушкина А.А.^***
Разработка энергонезависимого МЭМС-коммутатора
^*ОАО "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
^**National Research University of Electronic Technology / MIET (Москва), Россия
^***Molecular Electronics Research Institute JSC (Mocsow), Россия
Павловская Н.Т.^*, Литовченко П.Г.^*, Павловский Ю.В.^**, Угрин Ю.О.^**
Магнетосопротивление облученных нейтронами нитевидных кристаллов Si0,97Ge0,03
^*Институт ядерных исследований НАН Украины (Киeв), Украина
^**Дрогобычский государственный педагогический университет (Дрогобыч), Украина
Павлык Б.В.^*, Грыпа А.С.^*
Влияние рентгеновского излучения на парметры сенсоров температуры на основе кремниевых транзисторных p-n-переходов
^*Львовский национальный университет имени Ивана Франко (Львов), Украина
Памирский И.Э.^*
Фитолиты как источник микроразмерного кремнезема для микроэлектроники
^*Институт геологии и природопользования ДВО РАН (Благовещенск), Россия
Паращенко М.А.^*, Филиппов Н.С.^*, Кириенко В.В.^*, Романов С.И.^*
Электроосмотический насос на основе ассиметричной кремниевой микроканальной мембраны
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Парфеньева А.В.^*, Румянцев А.М.^*, Ли Г.В.^**, Астрова Е.В.^*
Кремниевые высокоаспектные микроструктуры для анодов литий - ионных аккумуляторов
^*ФТИ им. Иоффе (С.Петербург), Россия
^**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Пименов В.Г.^*
Методы элементного анализа высокочистого кремния и его прекурсоров
^*ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Нижний Новгород), Россия
Плюснин Н.И.^*
Металлические наномультислои на кремнии: рост, свойства и применение
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
Плюснин Н.И.^*
Формирование и электронно-спектроскопический контроль атомно-тонких пленок
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
Поклонский Н.А.^*, Горбачук Н.И.^*, Шпаковский С.В.^*, Мельников А.^**, Вик А.^***
Комбинационное рассеяние света в кремнии p-типа, облученном ионами марганца с энергией 100 keV
^*Белорусский государственный университет
^**Университет Торонто (Toronto), Канада
^***Рурский университет (Бохум), Германия
Поклонский Н.А.^*, Ластовский С.Б.^**, Престинг Х.^***, Соболев Н.А.^****, Сягло А.И.^*
Влияние облучения электронами на p-n переходы в сверхрешетках Si-Ge
^*Белорусский государственный университет
^**Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению (Минск), Беларусь
^***Daimler Research & Development Ulm (Ульм), Германия
^****Universidade de Aveiro (Aveiro), Португалия
Поликарпов М.А.^*, Якимов Е.Б.^**
Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаического элемента
^*Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт"
^**Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка), Россия
Потапов А.А.^*
Природа и механизм проводимости полупроводников
^*пенсионер (Иркутск), Россия
Потапов А.А.^*
Физические процессы в полупроводниковых приборах
^*пенсионер (Иркутск), Россия
Путря М.Г.^*, Панкратов О.В.^*, Голишников А.А.^**, Рыбачек Е.Н.^**
Метод формирования кремниевых нанопроволочных ионно-чувствительных транзисторных структур
^*Национальный исследовательский университет МИЭТ (Москва), Россия
^**Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Москва), Россия
Пушкарев Р.^*, Файнер Н.^*, Румянцев Ю.^*, Максимовский Е.^*
Получение слоев Fe-Si-C-N с помощью термического разложения паров кремнийорганических соединений и ферроцена
^*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
Пчеляков О.П.^*
Молекулярная эпитаксия гетероструктур GaAs на Si для фотовольтаики
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Рогожина Г.А.^*, Рогожин А.С.^*, Латухина Н.В.^*, Лизункова Д.А.^*
Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния
^*Самарский государственный университет (Самара), Россия
Румянцев Ю.^*, Плеханов А.^*, Файнер Н.^*, Максимовский е.^*, Шаяпов В.^*, Юшина И.^*
Пленки гидрогенизированного оксикарбонитрида кремния – перспективные материалы для опто – и наноэлектроники
^*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
Рысбаев А.С.^*, Хужаниёзов Ж.Б.^**, Рахимов А.М.^*, Файзуллаев Р.Ф.^*, Бекпулатов И.Р.^*
Особенности спектров характеристических потерь энергии электронов в ионно имплантированных слоях кремния
^*Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан
^**Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан
Рысбаев А.С.^*, Хужаниёзов Ж.Б.^**, Рахимов А.М.^*, Файзуллаев Р.Ф.^*, Бекпулатов И.Р.^*, Рысбаева З.А.^*
Формирование тонких наноразмерных плёнок силицидов на поверхности монокристалла Si
^*Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан
^**Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан
Семенова О.И.^*, Козельская А.И.^**, Спесивцев Е.В.^***
Механические напряжения в плазмохимическом SiNx:H
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
^**Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Россия
^***Объединенный институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
Сивков В.Н.^*, Ломов А.А.^**, Некипелов С.В.^***, Сивков Д.В.^*, Петрова О.В.^****
NEXAFS и XPS исследования пористого кремния
^*Коми научный центр Уральского отделения РАН (Сыктывкар), Россия
^**Физико-технический институт РАН (Москва), Россия
^***Сыктывкарский госуниверситет (Сыктывкар), Россия
^**** Коми научный центр УрО РАН (Сыктывкар), Россия
Скупов А.В.^*
Моделирование накопления радиационных дефектов в приборных структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами
^*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
Смагина Ж.В.^*, Двуреченский А.В.^*, Зиновьева А.Ф.^*, Степина Н.П.^*, Новиков П.Л.^*, Кучинская П.^*
Линейные цепочки квантовых точек, полученные с помощью ионного облучения
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Смирнов Д.И.^*, Герасименко Н.Н.^**, Чамов А.А.^***, Заблоцкий А.В.^****
Исследование размерных эффектов в механических и пластических свойствах наноструктур
^*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
^**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
^***ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, Зеленоград), Россия
^****Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет) (Долгопрудный), Россия
Смирнов Р.В.^*, Бибиков М.Б.^*, Московский А.С.^*
Получение кремния методом плазменного восстановления из монооксида
^*НИЦ Курчатовский институт (Москва), Россия
Смирнова Т.П.^*, Яковкина Л.В.^*, Борисов В.О.^*, Кичай В.Н.^*
Оксиды редких и редкоземельных металлов-новые материалы наноэлектроники и оптоэлектроники
^*Институт неорганической химии СО РАН (Новосибирск), Россия
Соболев Н.А.^*
Кремниевые светодиоды для кремниевой оптоэлектроники
^*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Соколов Л.В.^*, Болховитянов Ю.Б.^*, Дерябин А.С.^*, Гутаковский А.К.^**
Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и алмаза: образование и участие в пластической релаксации
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
Соловьева Ю.С.^*, Щемеров И.В.^*, Анфимов И.М.^*, Кобелева С.П.^*
О применимости СВЧ метода для определения времени жизни неравновесных носителей заряда на непассивированных образцах монокристаллического кремния
^*НИТУ "МИСиС"
Сорокин Л.М.^*, Аргунова Т.С.^*, Абросимов Н.В.^**
Микроструктура кристаллов SiGe большого диаметра
^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
^**Leibniz Instutute for Crystal growth (Берлин), Германия
Сорокин Л.М.^*, Калмыков А.Е.^*, Мясоедов А.В.^*, Бессолов В.Н.^*, Кукушкин С.А.^**
Кремний - перспективный материал III-нитридной электроники
^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
^**Институт проблем машиноведения РАН (Санкт-Петербург), Россия
Степанов А.Л.^*
Синтез пористого кремния с наночастицами серебра методом низкоэнергетической ионной имплантации
^*Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия
Суворов Э.В.^*, Смирнова И.А.^*
Искажения рентген топографических изображений дислокаций в результате воздействия пространственно протяженных деформаций в монокристаллах кремния.
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
Суздальцев Е.И.^*
Аморфный диоксид кремния. Способы получения и области применения
^*ОАО "ОНПП "Технология" (Обнинск), Россия
Терехов В.А.^*, Лазарук С.К.^**, Турищев С.Ю.^***, Занин И.Е.^****, Усольцева Д.С.^****, Анисимов А.В.^*****, Степанова А.А.^****
Особенности атомной и электронной структуры нанокомпозитов Al-Si
^*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
^***ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
^****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^*****ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
Терехов В.А.^*, Паринова Е.В.^**, Ундалов Ю.К.^***, Трапезникова И.Н.^***, Теруков Е.И.^***
Определение степени окисления кремния и содержания кластеров кремния в пленках SiOx методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии
^*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^**ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^***Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Терещенко А.Н.^*, Штейнман Э.А.^*, Мазилкин А.А.^*, Хорошева М.А.^*, Конончук О.В.^**
Структура и электронные свойства дефектов на границе соединенных пластин Si (001)
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
^**SOITEC (Гренобль), Франция
Тимофеев А.К.^*, Немчинова Н.В.^*
Новый подход к изучению процесса выплавки кремния
^*Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Турищев С.Ю.^*, Терехов В.А.^**, Анисимов А.В.^***, Чувенкова О.А.^***, Юраков Ю.А.^***, Спирин Д.Е.^****, Паринова Е.В.^*****, Коюда Д.А.^****, Тонких А.^******
Атомное и электронное строение эпитаксиальных нанослоев кремний-олово на кремнии по данным синхротронных исследований
^*ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
^**ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^***ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^*****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
^******Martin Luther University Halle-Wittenberg (Галле ), Германия
Тыныштыкбаев К.Б.^*
Высокоэффективные пористые кремниевые фотоэлектроды
^*Физико-технический институт (Алматы), Казахстан
Тюрин А.И.^*, Шуварин И.А.^*, Пирожкова Т.С.^*
Условия вязко-хрупкого разрушения кремния и германия при микро- и наноидентировании
^*НОЦ «Нанотехнологии и наноматериалы» ТГУ имени Г.Р.Державина (Тамбов), Россия
Тютрин А.А.^*
Кислотно-ультразвуковое рафинирование кремния при карботермической технологии
^*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Федоров А.М.^*, Непомнящих А.И.^**
Минеральные ресурсы кварца России для получения кремния.
^*Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
^**Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия
Федоров С.Н.^*, Бельский С.С.^*
Анализ физико-химических моделей получения кремния в руднотермических печах
^*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Федоров С.Н.^*, Немчинова Н.В.^**
Структура программы для расчета материального баланса выплавки кремния в руднотермических печах
^*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
^**Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Федотов А.К.^*, Прищепа С.^**, Редько С.^**, Долгий А.^**, Федотова В.^***, Свито И.^*
Электрические свойства наноструктур пористый кремний/кремний и пористый кремний/никель/кремний
^*Белорусский государственный университет
^**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
^***Научно-практический центр НАНБ по материаловедению (Минск), Беларусь
Федотов А.К.^*, Трафименко А.Г.^**, Данилюк А.^***, Прищепа С.^***
Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление легированного сурьмой кремния
^*Белорусский государственный университет
^**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
^***Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
Федотов А.К.^*, Турищев С.^**, Паринова Е.^**, Федотова Ю.^***, Стрельцов Е.^*, Иванов Д.^*, Мазаник А.^*
Электронный транспорт в наноструктурах Si/SiO2/Ni и Ni/Si, полученных методом электрохимического осаждения
^*Белорусский государственный университет
^**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
^***Центр физики частиц и высоких энергий БГУ (Минск), Беларусь
Филимонов С.Н.^*, Эрвье Ю.Ю.^*
Динамика элементарных ступеней на боковых гранях нитевидных нанокристаллов
^*Томский государственный университет (Томск), Россия
Филимонов С.Н.^*, Эрвье Ю.Ю.^*, Sambonsuge S.^**, Suemitsu M.^**
Анизотропия поверхностной энергии кубического карбида кремния и механизмы формирования пленок 3C-SiC/Si(110)
^*Томский государственный университет (Томск), Россия
^**Tohoku University (Sendai), Япония
Фрицлер К.Б.^*, Труханов Е.М.^*, Калинин В.В.^*
Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Фрицлер К.Б.^*, Чистохин И.Б.^*, Фомин Б.И.^*, Калинин В.В.^*, Пчеляков О.П.^*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Чусовитин Е.А.^*, Боженко М.В.^*, Галкин К.Н.^*, Расин А.Б.^*, Галкин Н.Г.^*, Ян Д.Т.^**, Асташинский В.М.^***, Кузьмицкий А.М.^***
Фотолюминесцентные свойства пористого кремния, сформированного на обработанных плазмой кремниевых подложках
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Хабаровск), Россия
^***Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси (Минск), Беларусь
Чусовитин Е.А.^*, Шевлягин А.В.^*, Горошко Д.Л.^*, Галкин Н.Г.^*, Гутаковский А.К.^**
Эффект всплытия нанокристаллитов b-FeSi2 в процессе их закрытия покрывающим слоем кремния: экспериментальные факты и модель
^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
Шагаров Б.А.^*, Краснобаев Ю.В.^**
Алгоритм работы солнечной батареи в точке оптимальной мощности
^*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
^**Сибирский федеральный университет (Красноярск), Россия
Шагаров Б.А.^*, Логинов Ю.Ю.^**
Инновационные технологии солнечной энергетики
^*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
^**Сибирский аэрокосмический университет (Красноярск), Россия
Шагаров Б.А.^*, Шелепов В.А.^**
Эксперсс диагностика кремниевых солнечных батарей
^*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
^**Сибирский аэрокосмический университет (Красноярск), Россия
Шагаров Б.А.^*, Шелепов В.А.^**
Экспресс контроль ФЭП для космоса
^*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
^**Сибирский аэрокосмический университет (Красноярск), Россия
Шамирзаев Т.С.^*, Галкин Н.Г.^**, Шевлягин А.В.^**, Саранин А.А.^**, Латышев А.В.^*
Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
^**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
Шарафеева И.^*, Тютрин А.А.^*
Исследование процесса образования примесных включений при кристаллизации кремниевого расплава
^*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
Шварцман Л.Я.^*
Некоторые аспекты современной технологии полупроводникового кремния
^*Activ Solar Gmbh, Vienna, Austria (Запорожье), Украина
Штейнман Э.А.^*, Орлов Л.К.^**
Особенности структуры и электронные свойства гетерокомпозиций 3C–SiC/SiGeC/Si(100)
^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Шуман В.Б.^*, Лодыгин А.Н.^*, Порцель Л.М.^*
Взаимодействие неравновесных междоузельных атомов кремния с примесью серы при высоких температурах
^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
Юрасов Д.В.^*, Дроздов М.Н.^*, Шалеев М.В.^*, Юнин П.А.^*
Формирование SiGe гетероструктур с высокой долей Ge и их селективное легирование сегрегирующими примесями
^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Юрасов Д.В.^*, Новиков А.В.^**, Шалеев М.В.^*, Юнин П.А.^*
Влияние знака деформации на рост SiGe напряженных структур
^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
Якимов А.И.^*, Кириенко В.В.^*, Армбристер В.А.^*
Повышение эффективности излучательной рекомбинации в слоях квантовых точек Ge/Si после обработок в водородной плазме
^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
Ярыкин Н.А.^*
Медь в кремнии: комплексообразование и взаимодействие с радиационными дефектами
^*Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
нагаёси х.^*, Diplas S.^**, Walmsley J.C.^**, Graff J.S.^**, Chirvony V.^***, Juan P.^***, Ulyashin A.^**
Ultra Fine Silicon Nanowire Growth Using Hydrogen Radical Etching Reaction
^*Tokyo National College of Technology (Tokyo), Япония
^**SINTEF Materials and Chemistry (Oslo), Норвегия
^***University of Valencia (Valencia), Испания

Список докладов