Чистохин, Игорь Борисович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Фомин Б.И.*, Калинин В.В.*, Пчеляков О.П.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия