Шек, Елена Ильинишна
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Россия, Санкт-Петербург
Список докладов
- Вдовин В.И.*, Федина Л.И.*, Гутаковский А.К.**, Шек Е.И.***, Соболев Н.А.****
Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Нагорных С.Н.*, Павленков В.И.**, Михайлов А.Н.**, Белов А.И.**, Королев Д.С.**, Бобров А.И.**, Павлов Д.А.**, Тетельбаум Д.И.**, Шек Е.И.***
Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
*Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Нижний Новгород), Россия
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия - Лошаченко А.С.*, Данилов Д.В.*, Шек Е.И.**, Вывенко О.Ф.***, Соболев Н.А.****
Электрически активные центры в кремнии n-типа, имплантированном ионами кислорода.
*Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия