Лошкарев, Иван Дмитриевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Колесников А.В.*, Труханов Е.М.*, Лошкарев И.Д.*, Ильин А.С.*
Формирование малоугловых границ в гетеросистемах GeSi/Si и GaAs/Si с вицинальными (001) границами раздела
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия