Латышев, Александр Васильевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Шевлягин А.В.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия