Шевлягин, Александр Владимирович
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН
http://iacp.dvo.ru
Россия, Владивосток, г.Владивосток ул.Радио 5
Список докладов
- Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Шевлягин А.В.*, Гутаковский А.К.**
Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия - Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Шевлягин А.В.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Галкин К.Н.*, Чернев И.М.*, Шевлягин А.В.*, Галкин Н.Г.*
Формирование, оптические и электрические свойства полупроводниковых пленок станнида магния на Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Чусовитин Е.А.*, Шевлягин А.В.*, Горошко Д.Л.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
Эффект всплытия нанокристаллитов b-FeSi2 в процессе их закрытия покрывающим слоем кремния: экспериментальные факты и модель
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия