Вдовин, Владимир Ильич
Старший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наукИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Вдовин В.И.*, Федина Л.И.*, Гутаковский А.К.**, Шек Е.И.***, Соболев Н.А.****
Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия