Баранов, Глеб Владимирович

Инженер

ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники"
Россия, Москва

Доклад

• Баранов Г.В.^*, Итальянцев А.Г.^**, Орлов О.М.^***, Песков Ш.Г.^****
  Особенности радиационно-стимулированной диффузии As в структуре SiO2/Si
  ^*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
  ^**ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Москва), Россия
  ^***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Россия
  ^****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Москва), Россия
  

К списку участников