Назад
Ильин, Александр Сергеевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
Колесников А.В.
*
,
Труханов Е.М.
*
,
Лошкарев И.Д.
*
,
Ильин А.С.
*
Формирование малоугловых границ в гетеросистемах GeSi/Si и GaAs/Si с вицинальными (001) границами раздела
*
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников