Калинин, Валерий Васильевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66,
Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Фрицлер К.Б.*, Труханов Е.М.*, Калинин В.В.*
Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
- Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Фомин Б.И.*, Калинин В.В.*, Пчеляков О.П.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников