Фомин, Борис Иванович

Список докладов

1. Маляренко Н.Ф.^*, Наумова О.В.^*, Фомин Б.И.^*, Попов В.П.^*
   Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   
2. Кулубаева Э.Г.^*, Наумова О.В.^*, Фомин Б.И.^*, Попов В.П.^*
   Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   
3. Фрицлер К.Б.^*, Чистохин И.Б.^*, Фомин Б.И.^*, Калинин В.В.^*, Пчеляков О.П.^*
   Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия