Гикавый, Андрей Яковлевич

Доклад

• Зюльков И.Ю.^*, Гикавый А.Я.^**
  Эпитаксиальный рост напряженного SiGe в атмосфере дисилана и дигермана
  ^*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
  ^**Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) (Лёвен), Бельгия