Шевлягин, Александр Владимирович

Список докладов

1. Галкин Н.Г.^*, Чернев И.М.^*, Шевлягин А.В.^*, Гутаковский А.К.^**
   Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
   ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
   
2. Шамирзаев Т.С.^*, Галкин Н.Г.^**, Шевлягин А.В.^**, Саранин А.А.^**, Латышев А.В.^*
   Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   
3. Галкин К.Н.^*, Чернев И.М.^*, Шевлягин А.В.^*, Галкин Н.Г.^*
   Формирование, оптические и электрические свойства полупроводниковых пленок станнида магния на Si(111)
   ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   
4. Чусовитин Е.А.^*, Шевлягин А.В.^*, Горошко Д.Л.^*, Галкин Н.Г.^*, Гутаковский А.К.^**
   Эффект всплытия нанокристаллитов b-FeSi2 в процессе их закрытия покрывающим слоем кремния: экспериментальные факты и модель
   ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия