Шек, Елена Ильинишна

Список докладов

1. Вдовин В.И.^*, Федина Л.И.^*, Гутаковский А.К.^**, Шек Е.И.^***, Соболев Н.А.^****
   Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
   ^****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
   
2. Нагорных С.Н.^*, Павленков В.И.^**, Михайлов А.Н.^**, Белов А.И.^**, Королев Д.С.^**, Бобров А.И.^**, Павлов Д.А.^**, Тетельбаум Д.И.^**, Шек Е.И.^***
   Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
   ^*Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Нижний Новгород), Россия
   ^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
   ^***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
   
3. Лошаченко А.С.^*, Данилов Д.В.^*, Шек Е.И.^**, Вывенко О.Ф.^***, Соболев Н.А.^****
   Электрически активные центры в кремнии n-типа, имплантированном ионами кислорода.
   ^*Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
   ^**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
   ^***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
   ^****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия