Юрасов, Дмитрий Владимирович

Список докладов

1. Юрасов Д.В.^*, Новиков А.В.^**, Шалеев М.В.^*, Юнин П.А.^*
   Влияние знака деформации на рост SiGe напряженных структур
   ^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   ^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   
2. Иванова М.М.^*, Киселев В.К.^*, Качемцев А.Н.^*, Филатов Д.О.^**, Гусейнов Д.В.^**, Шенгуров В.Г.^**, Юрасов Д.В.^***
   Исследование радиационной стойкости pin-фотодетекторов на базе соединений SiGe
   ^*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
   ^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
   ^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   
3. Байдакова Н.А.^*, Новиков А.В.^**, Шалеев М.В.^***, Юрасов Д.В.^***
   Оптические свойства Ge(Si) наноостровков, заключенных между напряженными слоями Si, сформированных на подложках sSOI и релаксированных SiGe буферах
   ^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   ^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   ^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   
4. Иванова М.М.^*, Киселев В.К.^*, Качемцев А.Н.^*, Лебедева Ю.С.^*, Юрасов Д.В.^**
   Проблемы обеспечения радиационной стойкости оптопар на кремнии
   ^*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
   ^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   
5. Юрасов Д.В.^*, Дроздов М.Н.^*, Шалеев М.В.^*, Юнин П.А.^*
   Формирование SiGe гетероструктур с высокой долей Ge и их селективное легирование сегрегирующими примесями
   ^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия