Денисов С.А. Матвеев С.А. Чалков В.Ю. Филатов Д.О. Машин А.И. Круглов А.В. Трушин В.Н. Гусейнов Д.В. Шенгуров В.Г. Иванова М.М.
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
Докладчик: Иванова М.М.
| Файл тезисов: | Si-2014_Ivanova3.doc |
К списку докладов