Якимов, Андрей Иннокентьевич
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Reports list
- Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*, Блошкин А.А.*, Якимов А.И.*
Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовыхямах SiGe
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Якимов А.И.*, Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*
Повышение эффективности излучательной рекомбинации в слоях квантовых точек Ge/Si после обработок в водородной плазме
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia