Логин:
Пароль:
Вход

  • Общая информация
  • Организаторы
  • Организационный комитет
  • Важные даты
  • Место проведения
  • Контактная информация
  • Представление материалов
  • Научные направления
  • Регистрационный взнос
  • Рамочная программа
  • Участники
  • Доклады
  • Регистрация/Вход

Шевлягин, Александр Владимирович


Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН
http://iacp.dvo.ru
Россия, Владивосток, г.Владивосток ул.Радио 5

Список докладов

  1. Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Шевлягин А.В.*, Гутаковский А.К.**
    Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
  2. Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Шевлягин А.В.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
    Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
  3. Галкин К.Н.*, Чернев И.М.*, Шевлягин А.В.*, Галкин Н.Г.*
    Формирование, оптические и электрические свойства полупроводниковых пленок станнида магния на Si(111)
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
  4. Чусовитин Е.А.*, Шевлягин А.В.*, Горошко Д.Л.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
    Эффект всплытия нанокристаллитов b-FeSi2 в процессе их закрытия покрывающим слоем кремния: экспериментальные факты и модель
    *Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия

К списку участников
© 2013-2014, Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск