Вдовин, Владимир Ильич

Старший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наук

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Доклад

• Вдовин В.И.^*, Федина Л.И.^*, Гутаковский А.К.^**, Шек Е.И.^***, Соболев Н.А.^****
  Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
  ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  ^**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
  ^***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
  ^****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
  

К списку участников