Shek, Elena
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Russia, St. Petersburg
Reports list
- Vdovin V.I.*, Fedina L.I.*, Гутаковский А.К.**, Shek E.***, Sobolev N.****
Formation of structural defects in Si wafers irradiated with low-energy electron beam
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Loshachenko A.S.*, Данилов Д.В.*, Shek E.**, Vyvenko O.***, Sobolev N.****
The electrically active centers in oxygen-implanted n-Cz-Si.
*Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia - Nagornyh S.*, Pavlenkov V.**, Михайлов А.Н.**, Belov A.**, Korolev D.**, Bobrov A.**, Pavlov D.**, Тетельбаум Д.И.**, Shek E.***
Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
*Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Nizhniy Novgorod), Russia
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Nizhniy Novgorod), Russia
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia