Mezhennyi, Mikhail Valerievich
ОАО "Оптрон"
Russia, Moscow
Reports list
- Mezhennyi M.V.*, Filatov M.Y.**, Роговский Е.С.*, Kobeleva S.P.***, Щемеров И.В.***, Соловьева Ю.С.***
Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
**ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
***НИТУ "МИСиС" - Mezhennyi M.V.*, Падалица А.А.**, Мармалюк А.А.**, Акчурин Р.Х.***, Абдуллаев О.Р.****, Роговский Е.С.*, Курешов В.А.*****, Сабитов Д.Р.*****, Мазалов А.В.*****
Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
**ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia
***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
****ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
*****ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia