Mezhennyi, Mikhail Valerievich

Reports list

1. Mezhennyi M.V.^*, Filatov M.Y.^**, Роговский Е.С.^*, Kobeleva S.P.^***, Щемеров И.В.^***, Соловьева Ю.С.^***
   Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
   ^*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
   ^**ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
   ^***НИТУ "МИСиС"
   
2. Mezhennyi M.V.^*, Падалица А.А.^**, Мармалюк А.А.^**, Акчурин Р.Х.^***, Абдуллаев О.Р.^****, Роговский Е.С.^*, Курешов В.А.^*****, Сабитов Д.Р.^*****, Мазалов А.В.^*****
   Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
   ^*ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
   ^**ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia
   ^***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
   ^****ОАО "Оптрон" (Moscow), Russia
   ^*****ОАО "НИИ "Полюс" (Moscow), Russia