Back

Сарычев, Михаил Евгеньевич

Chief Scientist, D.Sc. in Physics and Mathematics

Физико-технологический институт РАН
Russia, Moscow

Reports list

  1. Makhviladze T.*, Сарычев М.Е.**
    A strain-kinetic model for coalescence of oxygen precipitates in silicon
    *Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
    **Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
  2. Makhviladze T.*, Minushev A.*, Сарычев М.Е.**
    Advanced model of the copper CMP process for silicon nanotransistor technology
    *Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
    **Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
  3. Makhviladze T.*, Сарычев М.Е.**
    Influence of point defects on the coalescence rate of oxygen-containing precipitates in silicon
    *Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia
    **Физико-технологический институт РАН (Moscow), Russia

To participants list