Back

Sobolev, Nick

Leading research officer, D.Sc. in Physics and Mathematics

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Russia, St. Petersburg

Reports list

  1. Vdovin V.I.*, Fedina L.I.*, Гутаковский А.К.**, Shek E.***, Sobolev N.****
    Formation of structural defects in Si wafers irradiated with low-energy electron beam
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Институт физики полуроводников СО РАН (Novosibirsk), Russia
    ***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
    ****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  2. Loshachenko A.S.*, Данилов Д.В.*, Shek E.**, Vyvenko O.***, Sobolev N.****
    The electrically active centers in oxygen-implanted n-Cz-Si.
    *Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
    **Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (St. Petersburg), Russia
    ***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (St. Petersburg), Russia
    ****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia
  3. Sobolev N.*
    Кремниевые светодиоды для кремниевой оптоэлектроники
    *Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia

To participants list