Login

XIII Международная конференция «Газоразрядная плазма и её применение»

5–7 сентября 2017, Новосибирск, Россия

Zakrevskiy, Dmitriy Eduardovich

A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Reports list

1. Schweigert I.V.^*, Alexandrov A.L.^*, Gugin P.P.^**, Lavrukhin M.A.^**, Bokhan P.A.^**, Zakrevskiy D.E.^**
   Effect of secondary electron emission on subnanosecond break-down in high-voltage pulse discharge
   ^* Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Novosibirsk), Russia
   ^**A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   
2. Bokhan P.A.^*, Gugin P.P.^*, Zakrevskiy D.E.^*, Lavrukhin M.A.^*, Alexandrov A.L.^**, Schweigert I.V.^**
   High-voltage planar open discharge with counter electron beam generation
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   ^** Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Novosibirsk), Russia
   
3. Bokhan P.A.^*, Gugin P.P.^*, Zakrevskiy D.E.^*, Lavrukhin M.A.^*
   High-voltage subnanosecond sharpener based on the combination of open and capillary discharges
   ^*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   
4. Alexandrov A.L.^*, Schweigert I.V.^*, Gugin P.P.^**, Lavrukhin M.A.^**, Bokhan P.A.^**, Zakrevskiy D.E.^**
   Modelling of plasma afterglow in the ultra-fast high-voltage switch based on subnanosecond breakdown phenomenon
   ^* Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Novosibirsk), Russia
   ^**A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
   

To participants list