Бакшеев, Дмитрий Георгиевич
Новосибирский государственный университет
http://www.nsu.ru
Россия, 630090, Новосибирcк, ул. Пирогова, д.2
Телефон: +7 (383) 330 13 49, Факс: +7 (383) 333 24 37
Список докладов
- Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Сушков О.П.***, Ткаченко В.А.*
Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
***University of New South Wales (Сидней), Австралия - Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Ткаченко В.А.*, Сушков О.П.***
Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
***University of New South Wales (Сидней), Австралия