Бакшеев, Дмитрий Георгиевич


Novosibirsk State University
http://www.nsu.ru
Russia, 630090, Novosibirsk, Pirogova st., 2
Phone: +7 (383) 330 13 49, Fax: +7 (383) 333 24 37

Reports list

  1. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Сушков О.П.***, Ткаченко В.А.*
    Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Novosibirsk State University (Novosibirsk), Russia
    ***University of New South Wales (Sydney), Australia
  2. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Ткаченко В.А.*, Сушков О.П.***
    Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Novosibirsk State University (Novosibirsk), Russia
    ***University of New South Wales (Sydney), Australia

To participants list