Ткаченко, Ольга Александровна


A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Reports list

  1. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Сушков О.П.***, Ткаченко В.А.*
    Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Novosibirsk State University (Novosibirsk), Russia
    ***University of New South Wales (Sydney), Australia
  2. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Ткаченко В.А.*, Сушков О.П.***
    Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
    **Novosibirsk State University (Novosibirsk), Russia
    ***University of New South Wales (Sydney), Australia

To participants list