Ткаченко, Ольга Александровна


Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Сушков О.П.***, Ткаченко В.А.*
    Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ***University of New South Wales (Сидней), Австралия
  2. Ткаченко О.А.*, Бакшеев Д.Г.**, Ткаченко В.А.*, Сушков О.П.***
    Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ***University of New South Wales (Сидней), Австралия

К списку участников