Международная конференция «Математические и информационные технологии, MIT-2011»
(IX конференция «Вычислительные и информационные технологии в науке,
технике и образовании») № гос. регистрации 0321102644, ISBN 978-5-905569-02-9

Врнячка Баня, Сербия, 27–31 августа 2011 г.

Будва, Черногория, 31 августа – 5 сентября 2011 г.

Цвелодуб О.Ю.   Бочаров А.А.  

Исследование пространственных возмущений на поверхности, пленки жидкости, стекающей по вертикальному цилиндру

Докладчик: Цвелодуб О.Ю.

     Рассматриваются течения вязкой пленки жидкости по внешней поверхности вертикального цилиндра. Исследование  волновых режимов в случае малых расходов и больших радиусов цилиндра сводится к анализу решений одного нелинейного эволюционного уравнения для толщины пленки.
      Влияние нелинейных эффектов может приводить к формированию стационарно-бегущих режимов. В рассматриваемой модели существует счетное число таких семейств решений [1].  Большинство из них в свою очередь неустойчиво к двумерным и трехмерным возмущениям. В силу этого, эволюция  начальных возмущений в разных областях значений параметров существенно различается.
      В работе приводятся некоторые характерные сценарии развития возмущений. Особый случай представляют начальные возмущения с определенными симметриями, которые сохраняются в процессе эволюции. В этом случае решения притягиваются к стационарно-бегущим решениям, обладающим такими же симметриями.

Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Правительства России для государственной поддержки научных исследований, проводимых под руководством ведущих ученых в российских вузах № 11.G34.31.0035 (ГОУ ВПО «Новосибирский государственный университет») и гранта Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 10-08-91333-ННИО-а).

[1] Бочаров А.А., Цвелодуб О.Ю. Волновые режимы течения вязкой пленки,  стекающей по вертикальному цилиндру.  Изв. РАН. МЖГ. 2003. №  2. С. 176--183.

Файл тезисов: Цв,Боч-11.doc
Файл с полным текстом: TsvelBoch.pdf


К списку докладов

© 1996-2019, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск